第一部分：LNK562PN 核心原理
芯片定位与特点
LNK562PN 主要用于设计非隔离、反激式拓扑的开关电源，它的核心特点是高度集成，将 PWM 控制器、高压 MOSFET、多种保护功能集成在单个芯片中，极大地简化了电源设计,降低了成本和体积。
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主要特点：
- 高度集成： 内置 700V 功率 MOSFET、振荡器、PWM 控制器、故障保护电路等。
- 简化设计： 外部元器件极少，仅需一个电感、一个二极管、一个输出电容和几个阻容元件即可构成一个完整的电源。
- 恒压/恒流输出： 内置线电压和负载的恒流/恒压控制，非常适合设计电池充电器、适配器等。
- 完善的保护： 内置过温保护、逐周期限流、开路/短路保护、磁滞调光控制等。
- 低待机功耗： 符合国际能效标准,空载功耗极低。
内部结构框图与工作原理
理解 LNK562PN 的关键是理解其内部框图和各引脚功能。
内部核心模块：
- 高压 MOSFET (700V): 功率开关管，连接在 Drain (漏极) 和 Source (源极) 之间,用于斩流。
- 振荡器: 产生一个固定频率的时钟信号（典型值为 66kHz），用于驱动 MOSFET 的开关。
- PWM 控制器: 根据反馈信号（通过 BP/M 引脚）来调整 MOSFET 的导通时间,从而稳定输出电压。
- 反馈/控制逻辑: 这是芯片的“大脑”。
- 恒压模式: 通过 BP/M 引脚检测输出电压，当输出电压升高时，芯片会减少 MOSFET 的导通时间，降低输出；反之亦然。
- 恒流模式: 当负载电流过大时，通过检测源极电阻上的电压降来触发限流，进入恒流模式,保护电路和负载。
- 保护电路:
- 过温保护: 当芯片结温超过约 140°C 时，芯片会关闭 MOSFET，直到温度下降到安全值（约 70°C）后才会重新启动。
- 逐周期限流: 在每个开关周期开始时，检测 MOSFET 的电流，如果电流超过内部设定的阈值,该周期会提前结束。
- 打嗝模式: 当发生严重故障（如输出短路）时，芯片会停止工作，进入“打嗝”模式（间歇性启动）,以减小平均功耗和发热。
引脚功能
LNK562PN 通常采用 8 脚 DIP 或 SO-8 封装。
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| 引脚名称 | 引脚号 | 功能描述 |
|---|---|---|
| BP/M | 1 | 旁路/多功能引脚。 内部连接到 5.8V 稳压器，外接一个 0.1μF 电容到地，用于为内部电路供电，此引脚也是电压反馈和电流检测的输入端。 |
| D | 2, 3, 6, 7, 8 | 漏极。 内部高压 MOSFET 的漏极，此引脚连接到高压交流输入端，在交流半波周期内通过内部高压电流源对 BP/M 引脚的旁路电容充电。 |
| S | 4, 5 | 源极。 内部高压 MOSFET 的源极，同时是控制电路的公共接地端，通常通过一个小的源极电阻接地，用于电流检测。 |
工作流程简述：
- 启动阶段： 交流电经过整流滤波后，得到高压直流电，该高压电通过连接到 D 引脚的电阻（或直接）加到 Drain 端，芯片内部的高压电流源开始工作，向 BP/M 引脚的外接电容充电，当 BP/M 电压达到约 5.8V 时，芯片启动，内部振荡器开始工作，驱动 MOSFET 开关。
- 开关阶段： MOSFET 导通时，电流从 Drain 流向 Source，给电感储能，同时负载由输出电容供电，MOSFET 关断时，电感产生反向电动势，续流二极管导通,电感中储存的能量通过二极管释放给输出电容和负载。
- 稳压阶段： 输出电压通过一个电阻分压网络反馈到 BP/M 引脚，如果输出电压升高，反馈到 BP/M 的电压也会升高，芯片内部逻辑会判断输出过高，从而缩短下一个周期的 MOSFET 导通时间，使输出电压回落,反之亦然。
- 关断阶段： 当交流电过零时，输入高压消失，MOSFET 停止工作，BP/M 引脚的电容通过内部电路缓慢放电,为下一个半波周期做准备。
第二部分：LNK562PN 电源维修指南
维修 LNK562PN 电源时，安全永远是第一位的！务必在隔离变压器（隔离棒）或使用 DC-DC 负载仪（如 ATX 电源）进行维修，确保输入端与市电完全隔离，避免触电危险！
常见故障现象
- 完全无输出： 插上电后，用万用表测输出端，电压为 0V。
- 输出电压低： 输出电压远低于标称值。
- 输出电压高： 输出电压高于标称值。
- 输出电压不稳，波动大。
- 电源发出“吱吱”声。
- 通电后保险管烧断。
维修流程与思路
遵循“先易后难、先外后内、先静态后动态”的原则。
第一步：安全检查与目测
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- 断开电源！ 拔掉插头,等待电容放电。
- 检查保险管： 如果保险管烧断（发黑或熔断），说明后级电路存在严重短路，需要重点检查整流桥、高压滤波电容、LNK562PN 芯片本身是否击穿。
- 目视检查： 观察电路板有无明显烧焦、发黑、元件炸裂、虚焊的痕迹，检查输出电容有无鼓包、漏液。
第二步：静态电阻测量
- 断开负载： 将电源的输出端与负载（如手机、电脑等）断开,防止负载故障影响判断。
- 测量关键点对地电阻：
- 高压输入端对地电阻： 用万用表 R×10k 档，测量整流滤波后的正极对地（负极）电阻，正常情况下应有几百 kΩ 以上的阻值，如果阻值很小或为 0,说明后级有短路。
- 测量 LNK562PN 各引脚对地电阻：
- D 引脚对地电阻： 正向（红表笔接地）应很大，反向（黑表笔接地）也应很大，如果很小，可能是 MOSFET 击穿。
- S 引脚对地电阻： 应为 0Ω（或接近 0Ω）,因为它是地。
- BP/M 引脚对地电阻： 正反向应有几十 kΩ 左右的阻值，如果为 0 或很小,检查外接电容是否短路。
- 输出端对地电阻： 正常情况下应有一定的阻值（取决于输出电压和设计），如果为 0,说明输出滤波电容或负载短路。
第三步：通电测试（关键步骤） 警告：通电测试时，手不要接触任何电路部分，并做好短路、爆管的准备。
- 限流保护： 在电源的输出端接一个假负载（如汽车灯泡、大功率水泥电阻）,防止空载电压过高。
- 逐步加压： 如果条件允许，使用自耦调压器，从 0V 开始缓慢升高输入电压，同时监测输出电压,这可以有效限制故障扩大。
- 关键电压测量：
- BP/M 引脚电压： 这是判断芯片是否启动和工作的核心电压。
- 电压为 0V： 说明芯片未启动，原因可能是启动电阻
- BP/M 引脚电压： 这是判断芯片是否启动和工作的核心电压。
