核心技术：Xtacking® 架构
这是长江存储的“独门绝技”，也是其能够快速追赶国际巨头、实现技术跨越的关键。
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什么是 Xtacking® 架构？
传统的三维闪存制造过程非常复杂，需要将存储单元（Cell）和外围电路（如解码器、I/O接口等）在同一个晶圆上一步步集成，这就像在一栋大楼里同时建造承重墙、水电管线和电梯，流程长、难度大。
Xtacking® 架构的革命性在于：它将制造过程“分拆”为两个独立的步骤。
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制造存储单元阵列
专门在一个晶圆上，集中所有资源和技术，尽可能地把存储单元（即NAND闪存的核心数据存储部分）做得更小、更密集、层数更多，这就像先把大楼的“核心骨架”和“储物层”建好。
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制造外围电路
在另一个独立的晶圆上，使用成熟的逻辑工艺，高效地制造出所有必需的外围电路，这就像在别处把“电梯、水电、安防系统”等所有配套设施预制好。
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精准键合
- 通过一种类似“乐高”的高精度键合技术，将这两个已经制造好的晶圆垂直地、完美地“粘合”在一起，存储单元晶圆在下,外围电路晶圆在上。
Xtacking® 架构的核心优势
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更高的性能
（图片来源网络，侵删）- 更快的读写速度：由于外围电路（特别是I/O部分）可以直接堆叠在存储单元正上方，数据传输的“距离”大大缩短，就像把电梯直接建在你的房间门口，延迟自然降低,这使得长江存储的闪存产品能达到极高的读写速度。
- 更高的并行性：可以设计更多的数据通道同时工作,进一步提升整体吞吐量。
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更高的存储密度
因为制造存储单元的晶圆可以“心无旁骛”，专注于优化堆叠层数和单元尺寸，所以更容易实现更高层数的3D NAND（例如已量产的128层、232层，并研发更高层数）。
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更短的开发周期和更高的灵活性
- 存储单元和外围电路的开发可以并行进行，互不干扰,大大缩短了新产品的上市时间。
- 可以灵活选择最先进的逻辑工艺来制造外围电路，而不用担心它会反过来影响存储单元的制造，这种“模块化”的设计非常灵活。
基础技术：三维闪存
Xtacking® 架构是“如何制造”的方法论，而三维闪存是“存储什么”的核心技术,长江存储同样在这个领域取得了重大突破。
从2D到3D的跨越
- 2D NAND（平面闪存）：早期的闪存，存储单元像一个个平铺的“小格子”，随着技术发展，格子小到一定程度后，就会出现漏电、数据干扰等问题,难以再缩小。
- 3D NAND（三维闪存）：为了解决2D NAND的物理极限，业界开始将存储单元像“盖楼”一样，垂直堆叠起来，长江存储的3D NAND技术，就是利用其Xtacking®架构，将这栋“数据存储大楼”盖得又高又坚固。
关键的3D技术：Xtacking® 架构如何赋能3D NAND
- 更高的堆叠层数：利用Xtacking®的并行制造优势，长江存储能够快速实现高层数的堆叠，其 X2-6070 芯片就采用了 232层 堆叠，这是业界的领先水平，层数越多，同样面积下能存储的数据就越多,容量也就越大。
- 更小的单元尺寸：在Xtacking®架构下，可以更容易地采用更先进的制程来缩小每个存储单元的面积,从而进一步提升存储密度。
代表性产品与技术演进
长江存储的技术演进路线图清晰地展示了其创新能力：
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第一代：Xtacking® 1.0
- 代表产品：X2-2000 (64层堆叠)
- 验证了Xtacking®架构的可行性,实现了高性能和高密度的初步结合。
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第二代：Xtacking® 2.0
- 代表产品：X3-6000 (128层堆叠)
- 进一步优化了性能和密度，并推出了面向消费级和企业级的SSD产品,开始进入市场。
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第三代：Xtacking® 3.0
- 代表产品：X4-6070 (232层堆叠)
- 这是目前的主力产品，除了层数的大幅提升，它还集成了 XL™ NAND 技术，这是一种创新的 “存算一体” 或 “在存内计算” 的技术雏形。
- XL™ NAND 技术：它不是简单的存储芯片，而是将计算功能（如数据过滤、压缩、搜索等）直接集成到存储阵列中，数据无需从存储单元搬运到CPU进行处理，而是在存储单元的“家门口”就地完成，这能极大地降低数据搬运带来的功耗和延迟，特别适合人工智能、大数据分析等场景。
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Xtacking® 4.0
长江存储正在研发更高层数（如300层以上）的3D NAND，并持续推进XL™ NAND技术的成熟,探索更广阔的应用。
长江存储的核心技术可以概括为：
- 顶层设计：Xtacking® 架构，通过“存储单元”和“外围电路”的晶圆级键合，实现了高性能、高密度、高灵活性的闪存制造。
- 基础实现：高堆叠层数的三维闪存技术，利用Xtacking®的优势,不断刷新存储密度的记录。
- 未来方向：XL™ NAND 技术，将计算融入存储，开启“存算一体”的新时代,为AI和大数据应用提供革命性的硬件支持。
正是这一整套自主可控的技术体系，让长江存储在短短几年内,从一个行业新兵成长为全球NAND闪存市场不可忽视的重要力量。
