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第三章核心难点与关键概念是什么?

第三章:半导体二极管及其基本电路

本章学习目标

  1. 理解:PN结的形成原理及其单向导电性。
  2. 掌握:二极管的伏安特性曲线、主要参数及其物理意义。
  3. 熟悉:二极管的四种模型(理想、恒压降、折线、小信号),并能根据不同场景选择合适的模型进行分析。
  4. 掌握:二极管基本电路的分析方法,特别是限幅电路钳位电路的工作原理。
  5. 了解:稳压二极管、发光二极管、光电二极管等特殊二极管的工作原理和典型应用。

第一部分:核心知识点详解

半导体基础知识 (预备知识)

  • 本征半导体:纯净的、结构完整的半导体单晶体(如硅Si、锗Ge)。
    • 在绝对零度时,它是绝缘体。
    • 室温下,由于热激发,会产生少量的自由电子空穴,它们成对出现,称为电子-空穴对,这是半导体导电的基础。
  • 杂质半导体:在本征半导体中掺入微量的杂质,导电能力大大增强。
    • N型半导体:掺入五价元素(如磷P),提供大量自由电子(多子),空穴为少子。
    • P型半导体:掺入三价元素(如硼B),提供大量空穴(多子),自由电子为少子。
  • PN结的形成
    • 将P型半导体和N型半导体结合在一起,由于浓度差,多子会向对方区域扩散。
    • P区的空穴扩散到N区,与N区的电子复合;N区的电子扩散到P区,与P区的空穴复合。
    • 在交界面附近,留下不能移动的带正电的离子(N区)和带负电的离子(P区),形成一层很薄的空间电荷区,也称为耗尽层
    • 空间电荷区形成内电场,方向从N区指向P区,这个电场会阻碍多子的继续扩散,但有利于少子的漂移。
    • 动态平衡:扩散运动和漂移运动达到相对平衡,形成稳定的PN结。

半导体二极管

  • 结构:将PN结的P区和N区各引出一个电极,并用管壳封装起来,就构成了二极管,P区为阳极,N区为阴极。

    第三章核心难点与关键概念是什么?-图1
    (图片来源网络,侵删)
  • 伏安特性曲线:描述加在二极管两端的电压与流过它的电流之间的关系,这是理解二极管行为的根本。

    • 正向特性
      • 死区电压(开启电压):当正向电压小于某个值时,外电场不足以克服内电场,正向电流几乎为零,这个电压值对硅管约为0.5V,对锗管约为0.1V。
      • 正向导通区:当正向电压超过死区电压后,电流随电压指数级增长,导通后,管压降基本不变,对硅管约为0.6V ~ 0.8V,对锗管约为0.2V ~ 0.3V。
    • 反向特性
      • 反向截止区:加反向电压时,只有少数载流子形成的很小的反向电流(反向饱和电流 Is),其值很小且基本不随电压变化。
      • 反向击穿区:当反向电压增大到某个临界值(反向击穿电压 U(BR))时,反向电流急剧增大。普通二极管应避免工作在此区域,否则会因过热而损坏。
  • 主要参数

    • 最大整流电流 IF(AV):长期工作时允许通过的最大正向平均电流。
    • 最高反向工作电压 URM:允许施加的最大反向电压,通常为反向击穿电压的一半。
    • 反向电流 IR:未击穿时的反向电流,越小越好。
    • 动态电阻 rd:反映二极管在正向导通时,电压变化量与电流变化量的比值,rd = ΔUD / ΔID,在导通点附近,rd很小。

二极管的基本应用电路

分析二极管电路的关键是:首先判断二极管是导通还是截止

  • 分析方法

    第三章核心难点与关键概念是什么?-图2
    (图片来源网络,侵删)
    1. 假设二极管断开,计算其阳极和阴极之间的电位差 U_D = U_A - U_K
    2. U_D > 0(且大于死区电压),则二极管导通,可用一个等效电压源(如0.7V)代替。
    3. U_D < 0,则二极管截止,用开路代替。
    4. 将判断结果代入原电路,求解各支路电压和电流。
  • 限幅电路(削波电路)

    • 功能:将输入信号的幅值限制在某个特定范围之内。
    • 工作原理:利用二极管的单向导电性和导通后的恒压降特性。
    • 示例(串联下限幅电路)
      • 当输入电压 Vi < 0.7V 时,二极管截止,输出电压 Vo = Vi
      • 当输入电压 Vi > 0.7V 时,二极管导通,输出电压被钳位在 7V,即 Vo = 0.7V
    • 应用:用于信号保护、波形整形等。
  • 钳位电路

    • 功能:将输出信号的顶部或底部钳制在某个直流电平上,基本保持输入信号的波形形状。
    • 工作原理:利用电容的储能特性和二极管的单向导电性,将输入信号的直流分量移动一个固定值。
    • 示例(顶部钳位在0V)
      • 输入一个方波信号,当方波为正半周时,二极管导通,电容迅速充电至 Vp(峰值电压),极性为左正右负。
      • 当方波为负半周时,二极管截止,电容通过负载电阻缓慢放电,由于电容C很大,其电压基本保持不变 Vc ≈ Vp
      • 输出电压 Vo = Vi - Vc,对于负半周 Vi = -Vp,则 Vo = -Vp - Vp = -2Vp,对于正半周 Vi = Vp,则 Vo = Vp - Vp = 0V
      • 输出波形被“钳”在了0V。
    • 应用:用于恢复被电容耦合丢失的直流分量,或在电视信号中恢复同步脉冲。

特殊二极管

  • 稳压二极管(齐纳二极管)

    • 特性:利用PN结的反向击穿特性,击穿是可逆的,只要限制电流,就不会损坏。
    • 主要参数
      • 稳定电压 Uz:在规定电流下,两端的稳定电压。
      • 稳定电流 Iz:维持稳定电压的工作电流范围。
      • 耗散功率 Pz:允许的最大耗散功率 Pz = Uz * Izmax
    • 应用:构成稳压电路,为负载提供一个稳定的直流电压。
  • 发光二极管

    第三章核心难点与关键概念是什么?-图3
    (图片来源网络,侵删)
    • 特性:正向导通时,电子与空穴复合释放能量,以光子的形式发出光。
    • 应用:指示灯、七段数码管、显示屏等。
  • 光电二极管

    • 特性:工作在反向偏置状态,光照越强,反向电流越大,具有光-电转换功能。
    • 应用:光接收器、光电传感器、光纤通信等。

第二部分:本章重点与难点

重点

  1. PN结的单向导电性:这是理解所有半导体器件的基础。
  2. 二极管的伏安特性:必须能看图说话,理解曲线各段的含义。
  3. 二极管的四种模型
    • 理想模型:正向导通时压降为0,反向截止时电阻为无穷大,适用于精度要求不高的粗略分析。
    • 恒压降模型:正向导通时压
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