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pl光致发光测试技术的核心原理是什么?

什么是光致发光?

光致发光,简称为PL(Photoluminescence),是指材料吸收了特定波长的光子(能量)后,电子从基态被激发到激发态,然后通过辐射跃迁的方式,以发射光子的形式释放能量,并返回到较低能级(通常是基态)的现象。

pl光致发光测试技术的核心原理是什么?-图1
(图片来源网络,侵删)

这个过程可以通俗地理解为:

  1. “充电”:用一束光(激发光)照射样品,给样品的电子“充电”,使其能量升高。
  2. “发光”:被“充电”的电子不稳定,会自发地“放电”,以光的形式释放多余的能量,从而产生我们观测到的发光。

一个经典的例子:在黑暗中用紫外线(激发光)照射荧光笔或夜光涂料,它们会发出可见光(PL)。


PL测试的基本原理

PL过程涉及两个核心步骤:

a) 光激发

pl光致发光测试技术的核心原理是什么?-图2
(图片来源网络,侵删)
  • 一束能量高于材料带隙 的光子照射到样品上。
  • 价带 的电子吸收光子能量,跃迁到能量更高的导带,在价带中留下一个空穴。
  • 这样就形成了一个电子-空穴对,也称为激子

b) 光发射

  • 处于激发态的电子和空穴是不稳定的,它们会复合。
  • 复合过程中,电子将多余的能量以光子的形式释放出来。
  • 释放出的光子能量约等于材料的带隙能量(对于直接带隙半导体)。
  • 斯托克斯位移:发射光的波长(能量)比激发光的波长(能量)要长(能量要低),这个能量差称为斯托克斯位移,它以热能等形式耗散掉了。

PL测试系统的基本构成

一个典型的PL测试系统主要包括以下几个部分:

  1. 激发光源

    • 功能:提供单色性好、能量足够高的光子来激发样品。
    • 常见类型
      • 激光器:最常用的光源,如He-Cd激光器(325 nm)、氩离子激光器(488 nm)、半导体激光器(如405 nm, 532 nm),优点是单色性极好、强度高、相干性好。
      • 氙灯:可以输出连续光谱,配合单色仪可以选择任意波长的激发光,灵活性高,但强度通常低于激光器。
  2. 单色器

    • 功能:用于选择特定波长的激发光,并分离出发射光。
    • 位置:通常有两个单色器,一个在光源后,用于选择激发波长;另一个在探测器前,用于扫描和选择探测的发射波长。
  3. 样品仓

    • 功能:放置样品,并可能包含低温装置。
    • 关键附件
      • 低温恒温器:通常使用液氮或液氦将样品冷却到低温(如4K或77K),低温可以显著减小声子对电子的散射,使激子峰更尖锐,分辨率大大提高,对于分析精细的能级结构至关重要。
  4. 探测器

    • 功能:探测样品发射出的光子,并将其转换为电信号。
    • 常见类型
      • 光电倍增管:灵敏度高,响应速度快,适用于弱光信号探测。
      • 电荷耦合器件:可以同时探测一个很宽波长范围内的光信号,实现多通道测量,效率极高,是现代PL系统中最常用的探测器。
  5. 数据采集与分析系统

    • 功能:控制单色器进行波长扫描,记录探测器输出的信号强度,最终绘制出PL谱图(纵坐标为发光强度,横坐标为波长或能量)。

PL测试的关键参数与解读

一张典型的PL谱图可以提供丰富的信息。

  1. 峰位

    • 定义:PL强度最大值对应的波长或能量。
    • 信息:直接反映了材料的带隙,通过测量不同温度下的峰位,可以研究材料的温度依赖性,了解声子-激子相互作用。
  2. 峰强度

    • 定义:PL谱峰的高度或积分面积。
    • 信息
      • 载流子辐射复合效率:峰强度越高,通常意味着材料中非辐射复合(如通过缺陷复合)越少,材料质量越好。
      • 载流子浓度:在某些情况下,峰强度与载流子浓度成正比。
  3. 峰宽 / 半高宽

    • 定义:PL强度最大值一半处对应的谱线宽度。
    • 信息
      • 晶体质量:峰宽越窄,说明材料内部缺陷、杂质越少,晶格质量越高。
      • 组分均匀性:对于合金半导体(如InGaN),峰宽还反映了组分的均匀性,不均匀的组分会导致带隙有一个分布,从而使PL峰展宽。
  4. 峰形

    • 定义:PL谱的整体轮廓。
    • 信息
      • 激子束缚能:在低温下,可能观察到自由激子峰束缚激子峰,束缚激子峰通常位于自由激子峰的低能侧,两者之间的能量差就是激子的束缚能。
      • 缺陷能级:有时在主峰旁边会出现一些小的“卫星峰”,这些通常与材料中的特定缺陷或杂质有关。
  5. 斯托克斯位移

    • 定义:激发光能量与发射光能量之差。
    • 信息:反映了激发态和基态之间的能量损失,与材料中的弛豫过程有关。

PL技术的应用领域

PL技术因其快速、无损、高灵敏度的特点,成为材料研究和器件开发中不可或缺的工具。

  1. 半导体材料与器件

    • 带隙测量:快速确定III-V族(如GaN, InP)、II-VI族(如CdSe)和宽禁带半导体(如SiC, Ga2O3)的带隙。
    • 材料质量评估:通过分析PL峰的强度和FWHM,评价外延薄膜(如MOCVD, MBE生长的GaN)的晶体质量。
    • 缺陷分析:识别和量化材料中的点缺陷、位错等非辐射复合中心。
    • 量子阱/量子点研究:分析量子限制效应,测量量子结构的尺寸、组分和应变。
  2. 纳米材料

    • 量子点:PL峰位和峰宽是控制量子点尺寸和尺寸分布的核心手段,小尺寸量子点发光蓝移,大尺寸红移。
    • 碳纳米管/石墨烯:研究其激子行为、手性结构和掺杂状态。
    • 上转换纳米材料:研究其反斯托克斯发光机制。
  3. 钙钛矿太阳能电池

    • PL是评估钙钛矿薄膜质量的最重要工具之一,高PL强度意味着高质量、低缺陷的薄膜,有利于电荷的辐射复合,从而获得高的器件效率。
    • 通过时间分辨PL,可以测量载流子寿命,评估电荷抽取效率。
  4. 其他领域

    • 化学与生物:用于荧光探针、生物标记、免疫分析等。
    • 矿物学:鉴定矿物种类。
    • 艺术品鉴定:分析颜料的成分和年代。

优点与局限性

优点:

  • 高灵敏度:可以探测到极低浓度的缺陷和杂质。
  • 快速无损:测试过程通常只需几分钟,且不破坏样品。
  • 信息丰富:能提供带隙、缺陷、激子行为、载流子动力学等多方面信息。
  • 设备相对简单:相比XRD、TEM等,PL系统维护和操作相对容易。

局限性:

  • 定性/半定量为主:PL强度与缺陷浓度之间的关系并非绝对线性,受多种因素影响。
  • 表面敏感:对于薄膜材料,PL信号主要来自表面和近表面区域,对表面状态非常敏感。
  • 无法提供微观结构信息:无法像TEM或AFM那样直接观察材料的形貌和原子结构。
  • 激发光损伤:高功率的激光可能会对某些有机或柔性材料造成损伤。

光致发光测试技术是一种通过“光激发-光发射”过程来研究材料光学和电子性质的核心表征手段,它通过分析发光光谱的峰位、强度、峰宽等关键信息,能够有效地评估材料的带隙、晶体质量、缺陷密度和载流子动力学,凭借其快速、无损、高灵敏度的特点,PL在半导体、纳米材料、新能源等前沿科学研究和工业开发中扮演着至关重要的角色。

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