由于市面上教材版本众多，无法提供与您所用教材完全一致的答案，我将为您提供最核心、最常考的知识点总结、典型例题的详细解题思路和方法，并指出一些关键注意事项，您可以根据这些内容，对照自己的教材和练习册,找到并理解正确答案。
（图片来源网络，侵删）
第一部分：核心理论知识与典型例题解析
这部分涵盖了课程的基本概念、定律和分析方法。
半导体器件基础
这是整个电子技术的基础,必须牢固掌握。
二极管
- 核心知识点：单向导电性、正向导通压降（硅管约0.7V，锗管约0.3V）、反向击穿特性。
- 典型应用：整流、限幅、钳位、开关。
- 典型例题：二极管电路分析
- 题目：判断下图电路中二极管D是导通还是截止，并求输出电压Uo。
（一个简单的电路：电源Vcc=5V，电阻R=1kΩ，二极管D阳极接R,阴极接地）
（图片来源网络，侵删） - 解题思路：
- 假设法：先假设二极管D导通。
- 计算：如果D导通，其两端电压UD = 0.7V（假设为硅管），则输出电压Uo = Vcc - UD = 5V - 0.7V = 4.3V。
- 验证：检查这个结果是否与假设矛盾，D导通意味着其阳极电位高于阴极电位，阳极电位为4.3V，阴极接地（0V），4.3V > 0V,假设成立。
- 二极管D导通，Uo = 4.3V。
- 注意事项：如果计算出的Uo使得阳极电位低于阴极电位，则与假设矛盾，说明二极管实际是截止的，电路中无电流，Uo = Vcc。
- 题目：判断下图电路中二极管D是导通还是截止，并求输出电压Uo。
三极管 (BJT)
- 核心知识点：三种工作状态（放大、饱和、截止）及其条件。
- 截止：发射结反偏，集电结反偏，Ib ≈ 0, Ic ≈ 0, Uce ≈ Vcc。
- 放大：发射结正偏，集电结反偏，Ic = β Ib (β为电流放大倍数)，Uce = Vcc - IcRc。
- 饱和：发射结正偏，集电结正偏，Ic < β * Ib，Uce ≈ 0.3V (硅管)。
- 典型例题：三极管工作状态判断
- 题目：已知三极管β=50，Vcc=12V，Rc=2kΩ，Rb=20kΩ，判断下图电路中三极管的工作状态。
（一个典型的共射极放大电路）
- 解题思路：
- 计算基极电流 Ib：Ib = (Vcc - Ube) / Rb ≈ (12V - 0.7V) / 20kΩ = 11.3V / 20kΩ = 0.565mA。
- 计算临界饱和电流 Ics：三极管饱和时，Uce ≈ 0.3V，可以近似为0V，此时Ic最大，为Ics = Vcc / Rc = 12V / 2kΩ = 6mA。
- 计算临界饱和基极电流 Ibs：使三极管达到饱和所需的基极电流最小值，Ibs = Ics / β = 6mA / 50 = 0.12mA。
- 比较判断：实际Ib (0.565mA) > Ibs (0.12mA)。
- 因为实际基极电流大于临界饱和基极电流，所以三极管工作在饱和状态。
- 注意事项：计算Ib时，Ube不能忽略，判断状态的核心是比较
Ib和Ics/β的大小关系。
- 题目：已知三极管β=50，Vcc=12V，Rc=2kΩ，Rb=20kΩ，判断下图电路中三极管的工作状态。
场效应管 (MOSFET)
- 核心知识点：电压控制型器件，输入电阻极高，工作状态：截止、可变电阻区、恒流区（放大区）。
- 分析方法：与三极管类似，但控制量是栅源电压Vgs,而不是基极电流Ib。
基本放大电路
这是模拟电路的核心,必须掌握静态和动态分析方法。
（图片来源网络，侵删）
静态分析 (Q点 - 静态工作点)
- 目的：确定电路在无输入信号时，三极管的直流电流和电压（IbQ, IcQ, UceQ）。
- 方法：画出直流通路（将电容视为开路），用电路分析方法（如戴维南定理、分压公式等）计算。
- 典型例题：计算Q点
- 题目：计算上图共射极电路的静态工作点Q(IbQ, IcQ, UceQ)。
- 解题思路：
- 画直流通路（电容开路）。
- 计算基极电位：Ub = Vcc * Rb2 / (Rb1 + Rb2)。（如果是分压偏置电路）
- 计算发射极电流：Ie = (Ub - Ube) / Re。
- 计算集电极电流：IcQ ≈ Ie。（β较大时）
- 计算基极电流：IbQ = IcQ / β。
- 计算集射极电压：UceQ = Vcc - IcQRc - IeQRe ≈ Vcc - IcQ*(Rc + Re)。
- 注意事项：Q点设置不当会导致截止失真或饱和失真。
动态分析 (性能指标)
- 目的：计算电路对交流信号的放大能力，如电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro。
- 方法：画出交流通路（将直流电源和电容视为短路）,然后用微变等效电路法分析。
- 典型例题：计算动态指标
- 题目：计算上图共射极电路的Au, Ri, Ro。
- 解题思路：
- 画交流通路和微变等效电路（三极管用小信号模型h参数等效电路代替）。
- 电压放大倍数 Au：Au = Uo / Ui = -β * (Rc // RL) / rbe。
rbe是三极管be结的动态电阻，rbe ≈ 300Ω + (β+26mV)/IeQ。 - 输入电阻 Ri：Ri = Rb1 // Rb2 // rbe。（从输入端看进去的等效电阻）
- 输出电阻 Ro：Ro = Rc。（从输出端看进去,将信号源短路和负载开路）
- 注意事项：
- 负载电阻RL会使电压放大倍数下降。
- 输入电阻Ri越大，从信号源获取的电流越小,对信号源影响越小。
- 输出电阻Ro越小,带负载能力越强。
集成运算放大器及其应用
运放是现代模拟电路的“积木块”。
理想运放特性
- 开环增益无穷大 (Aod → ∞)
- 输入电阻无穷大 (Ri → ∞)
- 输出电阻为零 (Ro → 0)
- 共模抑制比无穷大 (Kcmr → ∞)
两条重要分析法则
- 虚短：两输入端电位近似相等，即 U+ ≈ U-。（因为有负反馈，且Aod→∞）
- 虚断：两输入端不取电流，即 I+ = I- ≈ 0。（因为Ri→∞）
典型应用电路
- 反相比例放大器：Uo = - (Rf / R1) * Ui
- 同相比例放大器：Uo = (1 + Rf / R1) * Ui
- 电压跟随器：Uo
