第一步：安全第一，做好准备工作
- 断电并放电：务必将设备与市电完全断开，并对大容量的滤波电容（如PFC电路的母线电容）进行放电操作,防止触电或损坏万用表。
- 准备工具：
- 万用表（带二极管档和电容档）
- 示波器（非常重要,用于动态分析）
- 隔离变压器（推荐,保护设备和人身安全）
- 焊台、吸锡器、松香、焊锡丝等焊接工具
- 替换用的SSC9512S芯片、同型号MOSFET、电阻、电容等
第二步：外观检查与初步测量（静态检查）
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目视检查：
（图片来源网络，侵删）- 芯片本体：观察SSC9512S芯片表面是否有明显的烧焦、鼓包、裂痕或炸裂的痕迹,这是最直观的故障表现。
- 周围元件：仔细检查芯片周围的电阻、电容、二极管、MOSFET等元件是否有烧黑、发黄、爆裂或虚焊的现象。
- PCB板：查看PCB板上是否有烧黑的痕迹、发绿（过热）的区域或短路导致的铜箔熔断。
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测量关键点电压（上电前/后）：
- VCC引脚 (Pin 8)：这是芯片的电源引脚，正常工作时，电压应该在芯片规格书规定的范围内（通常是12V-20V），如果此电压为0V或过低，说明芯片没有工作。
- 检查方向：往前级电路查找，如VCC的供电电阻、稳压电路（如TL431）、变压器绕组等。
- VB (Pin 1) 和 VS (Pin 4)：
- VS (悬浮地)：测量VS对GND（系统地）的电压，在半桥工作中，VS点的电压会在0V和母线电压之间快速切换，静态时，如果上臂MOSFET的源极通过一个电阻接地,VS电压应接近0V。
- VB (高端浮动电源)：测量VB对VS的电压，这个电压是给上臂MOSFET供电的，通常比VCC高一些（由自举电路提供），静态时，如果自举电容正常，VB对VS应该有一个稳定的电压（例如12V-15V），如果为0V,说明自举电路有问题。
- HO (Pin 2) 和 LO (Pin 3)：这是两个输出端，正常情况下它们的状态是互补的（一个高，一个低），静态时,它们的电平取决于输入信号和控制逻辑。
- VCC引脚 (Pin 8)：这是芯片的电源引脚，正常工作时，电压应该在芯片规格书规定的范围内（通常是12V-20V），如果此电压为0V或过低，说明芯片没有工作。
第三步：重点排查方向与步骤
根据静态测量的结果,我们可以有针对性地进行排查。
SSC9512S芯片本身损坏
这是最常见的原因之一。
- 判断方法：
- 测量对地电阻：断电后，用万用表二极管档测量各引脚对GND（系统地）的正反向电阻，与正常的板子或芯片资料对比，如果发现某个引脚对地短路或电阻值异常偏低,芯片很可能已损坏。
- 测量供电引脚：测量VCC引脚对GND的电阻，如果阻值非常小（接近0Ω）,说明芯片内部VCC对地短路。
- 测量自举引脚：测量VB引脚对VS引脚的电阻，如果短路,说明芯片内部自举部分损坏。
- 直接替换：如果以上测量怀疑芯片损坏，且外围电路基本正常（特别是没有短路），最直接有效的方法就是更换一块新的SSC9512S芯片。
外围电路故障导致芯片不工作
即使芯片是好的，如果其工作条件不满足,它也不会输出。
（图片来源网络，侵删）
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VCC供电电路故障：
- 检查路径：从变压器次级整流滤波后的电压开始，检查限流电阻、滤波电容、稳压二极管或TL431等元件是否开路或损坏。
- 常见故障点：给VCC供电的电阻烧断、滤波电容失效（容值变小或短路）。
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自举电路故障：
- 自举二极管 (Bootstrap Diode)：检查这个快恢复二极管是否开路或性能不良，它负责在LO输出低电平时,为自举电容充电。
- 自举电容 (Bootstrap Capacitor)：检查这个电容是否失效（容值变小、ESR变大）或短路，它负责在LO输出高电平时，为上臂MOSFET提供悬浮电源，可以用万用表电容档测量其容值,或用示波器观察其充放电波形。
- 自举电阻：如果有的话,检查是否开路。
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输入信号问题：
- HIN (Pin 5) 和 LIN (Pin 6)：这两个是逻辑输入端，检查输入端的上拉/下拉电阻是否正常，前级控制电路（如MCU、PWM发生器）是否有正常的PWM信号送来。
- 可以用示波器测量这两个引脚的波形，确认是否有正确的、死区时间合适的互补方波信号输入，如果信号异常,问题可能出在前级。
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保护电路问题：
（图片来源网络，侵删）- 故障检测引脚 (FLT, Pin 7)：这个引脚通常为高电平有效，如果此引脚被外部电路（如过流、过温检测电路）拉到高电平，芯片将关闭输出,导致无输出。
- 检查方法：测量FLT引脚的电压，如果电压高于1V，说明保护电路被触发，需要排查是哪个保护条件被满足了（电流采样电阻是否开路导致误保护？温度传感器是否异常？）。
驱动对象（MOSFET）问题
SSC9512S的输出是去驱动半桥的两个MOSFET，如果MOSFET本身损坏,自然没有输出。
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MOSFET击穿短路：
- 判断方法：断电后，用万用表二极管档分别测量上下两个MOSFET的D-S极和G-S极。
- 正常情况：G-S和G-D之间应呈现二极管的特性（有正向压降），D-S之间在关断时应是无穷大。
- 故障情况：如果D-S之间或G-S之间电阻很小或为0,说明MOSFET已击穿短路。
- 严重后果：一个MOSFET击穿，特别是上下臂同时直通，会瞬间烧毁驱动芯片、甚至损坏电源，更换MOSFET后,一定要检查驱动芯片是否也被连带烧毁。
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MOSFET栅极电阻问题：
- 栅极电阻：连接在SSC9512S输出（HO/LO）和MOSFET栅极之间的电阻,用于防止振荡和限流。
- 检查方法：检查这个电阻是否开路或阻值变大，如果开路，驱动信号无法传递到MOSFET栅极,MOSFET将始终处于关断状态。
第四步：动态分析与波形测量
静态检查无法解决的问题,必须使用示波器进行动态分析。
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测量输入信号 (HIN/LIN)：
- 确认输入的PWM信号频率、占空比是否正常，以及关键的死区时间是否存在，死区时间是为了防止上下臂MOSFET同时导通而设置的,非常重要。
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测量输出信号 (HO/LO)：
- 在VCC和自举电路都正常的情况下,用示波器观察HO和LO的波形。
- 理想波形：HO和LO应该是互补的方波，HO的波形以VS为参考，会在0V和VB电压之间跳变；LO的波形以GND为参考。
- 异常波形：
- 波形异常或幅度不足：说明芯片内部损坏或供电不足。
- 只有一个有输出：可能是输入信号问题,或芯片内部逻辑损坏。
- 波形有振荡或振铃：通常是栅极电阻不匹配或PCB布局问题引起,可能损坏MOSFET。
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测量自举波形：
