中国GaAs衬底技术作为半导体产业中的关键基础材料，在5G通信、射频器件、卫星导航、光电子等领域具有不可替代的战略地位，砷化镓（GaAs）作为一种直接带隙半导体材料，具有电子迁移率高、禁带宽度大、耐高温抗辐射等优异特性，尤其在高频、高速、低...
