我们可以将FD-SOI技术的发明历史分为几个关键阶段和贡献者：
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理论基础与早期探索 (SOI技术的奠基人)
FD-SOI是SOI（Silicon On Insulator，绝缘体上硅）技术的一种特定形态，首先要归功于SOI技术的奠基人。
- IBM公司：是SOI技术商业化最重要的推动者，早在20世纪80年代末和90年代初，IBM就看到了SOI技术在降低功耗和提高性能方面的巨大潜力，并投入巨资进行研发。
- 关键人物： Bernard S. Meyerson (伯纳德·迈耶森)，他被誉为“IBM硅锗之父”，是IBM当时半导体研发的灵魂人物，他领导的团队大力推动了SOI技术在高端逻辑芯片（如POWER系列处理器）上的应用，为后来的FD-SOI积累了大量的工艺和物理知识。
- 法国的SOI技术先驱：法国在SOI领域有着深厚的研究基础。
- 关键人物： Jean-Pierre Colinge (让-皮埃尔·科林格)，他是UTSOI (Ultra-Thin SOI) 技术的发明人，这是FD-SOI最直接的前身，他于1991年在比利时IMEC（微电子研究中心）工作时，首次制造出了超薄硅膜的SOI晶体管，这项工作为“全耗尽”这个核心概念奠定了理论和实验基础，后来他加盟加州大学戴维斯分校，继续深入研究。
FD-SOI概念的成熟与标准化 (STMicroelectronics的集大成者)
如果说SOI和UTSOI是前奏,那么FD-SOI作为一个成熟、可量产的工艺平台，则主要是由意法半导体 在2010年前后推向市场的。
- 关键公司： 意法半导体
- 关键人物： Philippe Robert-Nicoud (菲利普·罗贝尔-尼库) 等ST的技术领导团队。
- 核心贡献：
- 整合与优化： ST将前人（包括IBM、IMEC、法国研究机构等）的SOI技术理念进行了系统性的整合、优化和标准化。
- 推出FD-SOI平台： ST在2012年正式推出了其22nm FD-SOI工艺平台，并将其命名为 FDX (Fully Depleted eXtreme)，这是全球第一个将FD-SOI作为主流解决方案提供给客户（特别是物联网、移动和汽车领域）的半导体公司。
- 生态系统建设： ST不仅开发了技术，还积极建立EDA工具、IP库和设计方法论的生态系统，使得客户能够方便地使用FD-SOI技术。
STMicroelectronics 通常被认为是FD-SOI技术的“集大成者”和主要推动者，是他们让这项技术从实验室走向了大规模的商业化。
关键的合作伙伴：Leti
在整个发展过程中,法国的Leti (电子与信息技术实验室) 发挥了至关重要的作用，Leti是世界顶级的微纳技术研究中心，它与STMicroelectronics有着长期紧密的合作关系。
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- 关键贡献： Leti在FD-SOI技术的基础研究、关键模块开发（如背面供电技术 Body Biasing）等方面提供了持续的技术支持，许多FD-SOI的核心专利都源于Leti的研究成果。
回答“FD-SOI技术发明人是谁”这个问题，最准确的答案是：
FD-SOI技术没有单一的发明人，它是一项集体智慧的结晶，其发展脉络可以概括为：
- 奠基者： 以 IBM (特别是 Bernard S. Meyerson ) 和 Jean-Pierre Colinge (UTSOI发明人) 为代表的先驱，为SOI和FD-SOI奠定了理论和实践基础。
- 集大成者与商业化推动者： 意法半导体，他们将前人的成果整合、优化，并成功推出了全球首个成熟的FD-SOI工艺平台，使其成为一项可用的产业技术。
- 关键合作伙伴： Leti 等研究机构提供了不可或缺的基础研究支持。
在业界谈到FD-SOI时，通常会将其与 STMicroelectronics 紧密联系在一起。
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