OB2268 简介
简单了解一下这个芯片,有助于理解其工作原理。
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- 功能：离线式电流模式 PWM 控制器。
- 封装：通常为 DIP-8 或 SOP-8。
- 核心作用：为开关电源（通常是反激式 Flyback）提供一个稳定、可控的 PWM 驱动脉冲，从而控制变压器的储能和能量释放，最终稳定输出电压。
- 关键引脚：
- (1) FB (Feedback/Compensation)：反馈/补偿引脚，通过一个光耦（PC817等）接收次级侧的电压信息，是稳压的核心。
- (2) ISENSE (Current Sense)：电流检测引脚，检测原边主开关管（如MOSFET）的电流，用于过流保护。
- (3) VCC：芯片供电引脚，通常通过一个高压绕组经整流滤波后供电。
- (4) RT/CT (Oscillator)：振荡定时引脚，外接电阻和电容决定芯片的工作频率。
- (5) GND：地。
- (6) OUT (Driver Output)：驱动输出引脚，直接驱动MOSFET的栅极。
- (7) VREF：内部基准电压（通常为5V或5.1V）。
- (8) DIS (Disable)：使能/禁用引脚，通常用于过压、欠压保护。
输出电压低的核心逻辑
要维修电压低的问题,首先要明白其基本工作流程：
- 市电输入 -> 整流滤波 -> 高压直流。
- OB2268 的 OUT 脚输出 PWM 脉冲 -> 驱动 MOSFET -> 变压器 初级线圈 储能。
- MOSFET 关断 -> 变压器释放能量 -> 次级线圈 产生低压 -> 整流滤波 -> 低压直流输出。
- 输出电压通过 取样电阻 (如 R1, R2) 分压，反馈到 光耦 的初级侧。
- 光耦的次级侧将光信号转换成电流,流回 OB2268 的 FB 脚。
- OB2268 内部根据 FB 脚的电压，动态调整 OUT 脚的 PWM 占空比，从而稳定输出电压。
电压低，意味着 OB2268 认为输出电压低了，于是增大了占空比来提升电压，如果电压仍然低，说明某个环节“掉链子”了。
维修的核心思路就是：从后往前，逐级排查，先易后难。
系统性维修步骤（由简到繁）
安全第一！ 维修开关电源前，务必确保隔离（使用隔离变压器），或非常小心地避免触电，建议在市电输入端串联一个60W/220V的灯泡作为假负载，防止短路时烧毁元件。
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第一步：外观与初步检查
- 看：观察电源板是否有明显烧毁、鼓包、发黑的元件，特别是电容、电阻、MOSFET、变压器。
- 闻：是否有焦糊味。
- 测：用万用表二极管档测量关键元件的初步好坏。
第二步：测量关键电压点（判断故障范围）
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测量输出电压：确认电压确实偏低。
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测量 VCC 电压（OB2268 的第3脚）：
- 正常值：启动后通常在 12V - 18V 之间（具体看设计）。
- VCC 电压过低或没有：
- 检查 VCC 供电的整流二极管（通常是快恢复二极管 FR107, FR106等）是否击穿。
- 检查 VCC 滤波电容是否失效（容值变小、ESR变大）。
- 检查启动电阻（通常是一个高阻值电阻，如 1MΩ）是否开路。
- 检查变压器 VCC 绕组是否开路。
- VCC 电压正常：说明芯片基本供电正常，故障可能在其他部分。
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测量 FB 引脚电压（OB2268 的第1脚）：
- 正常值：通常在 2.5V 左右（具体参考芯片手册，OB2268 的内部基准是5V，通过内部电阻分压得到反馈阈值）。
- FB 电压远低于正常值（如接近0V）：
- 重点检查光耦：光耦是电压反馈的核心，可能是光耦初级（发光侧）或次级（受光侧）短路或开路。
- 检查取样电阻：检查输出端的分压取样电阻（R1, R2）是否变值或开路。
- 检查 TL431：如果次级电路有 TL431 精密稳压源，检查其是否损坏。
- FB 电压正常：说明反馈环路基本正常，故障可能在功率变换部分。
第三步：排查功率变换部分
VCC 和 FB 电压都基本正常，但输出电压依然低，那么问题大概率出在“功率转换”这个环节，即能量没有有效地从初级传递到次级。
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检查主开关管（MOSFET）：
- 这是最常见的故障点之一！
- 测量 D-S 极：用万用表二极管档，正常时 D-S 之间应有一个二极管的压降（0.4V-0.7V），且 G-S、G-D 之间应该是无穷大。
- 常见故障：MOSFET 击穿短路，D-S 之间阻值为0，则已损坏，更换前务必检查原因，否则会再次烧毁！
- 损坏原因：通常是由于尖峰电压过高（如 RCD 吸收回路失效）或过流导致。
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检查 RCD 吸收回路：
- 作用：吸收 MOSFET 关断时变压器初级产生的尖峰电压，保护 MOSFET 不被击穿。
- 检查元件：
- RCD 电阻：是否变值或开路。
- RCD 二极管：是否击穿或反向漏电。
- RCD 电容：是否失效或容量减小。
- RCD 回路失效，会导致尖峰电压过高，反复击穿 MOSFET，表现为输出电压低或不稳定。
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检查变压器：
- 初级绕组：是否开路或匝间短路。
- 次级绕组：是否开路或匝间短路。
- 检查方法：用万用表电阻档测量各绕组的直流电阻，初级绕组阻值通常几十到几百欧姆，次级绕组阻值很小（零点几到几欧姆），如果阻值异常偏大或无穷大，说明绕组开路，如果阻值异常偏小，可能是匝间短路，匝间短路较难用万用表测出，可能需要代换法或测量电感量。
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检查次级整流滤波电路：
- 整流二极管：是否击穿短路或开路，肖特基二极管（如 SB560, 1N5819）在充电器中常用，容易损坏。
- 滤波电容：是否失效（容值减小、ESR变大），这是导致输出电压低、纹波大的常见原因，可以用电容表测量容值，或代换法验证。
第四步：检查启动与振荡电路
如果以上都正常,可能是芯片自身或其外围振荡电路出了问题。
- 检查启动电阻：
这是一个连接在高压直流和 VCC 之间的高阻值电阻（如 1MΩ），如果它开路，芯片无法启动。
- 检查 RT/CT 引脚（第4脚）的外围电阻和电容：
这两个元件决定了芯片的工作频率,如果变值或开路，可能导致芯片不工作或工作异常，但通常表现为
